de smedt: ISFETS

Live forum: /viewtopic.php?t=5015

krln

08-06-2006 11:48:45

hoe kan de electrostatische potentiaal van de gate de conductiviteit van het channel beinvloeden als daar die isolerende laag SiO2 tussenzit?

vlien

09-06-2006 07:10:47

mijn interpretatie van de MOSFET:

ge hebt dus die p en n-type halfgeleiders en daartussen hebde dan die channel waar er stroom vloeit die tot stand komt door u Vds. tussen uwe gate en uwe channel zit die isolerende laag, maar ge hebt zoals bij u capaciteit ook hier over die isolator de kans dat er toch ladingen worden verplaatst van u metaal naar u channel ( bij MOSFET door die externe wisselende spanning Vgs) en dan krijg je elektrostatische effecten (metaal is + en stroom is -) zodat u stroom door u channel wordt be´nvloed

klopt dit?

krln

09-06-2006 07:26:15

en hup hier is de capaciteit weer, maar 't kan wel kloppen ze, zou anders ni weten van waar die invloed naders komt
dank u!