heeeeeeeeeeeeeelllllllllllllllllllpppppppppppppppppppp

Live forum: /viewtopic.php?t=5370

wishmaster

14-06-2006 20:32:17

kan er mij iemand helpen met die isfets en die mosfets???

der sta lik in zijn cursus da er bij de ISFET een electrostatische potentiaal zal zijn tussen gate en source. Maaarreeeuuu, ge hebt er geen gate, moe drain zijn zeker.


EN dan nog ik dacht da de stroom tussen uw substrate en gate de stroom tussen uw drain en source ging beinvloeden. Wat blijkt dat dien tussen gate en source is die gaat beinvloeden.

Wat is de rol van substrate dan?????



:cry: :cry: :cry: :cry: :cry: :cry: :cry:

wishmaster

14-06-2006 21:01:59

jah jah ben denk ik een stapke verder:

versta het van die vds en die gate en blablabla

maaaaaaaaaar weet nog altijd nie wat da dien substrate es???


help help help

zotteke

14-06-2006 21:02:58

ik ga et morge es te goei bekijke want kan echt nimeer nadenke nu...
mss da iemand die al methoden gehad heeft het nog weet hoe t zit?

ik haat dees vak zo hard :cry: :cry:

zotteke

14-06-2006 21:04:32

da substraat is dienen p-halfgeleider, ma wa dan just de functie is...

Herlinde

14-06-2006 21:12:30

Mja, doordat die laag (SiNO4 of zo, heb mijn cursus nu niet direct) protonen kan aantrekken zal die dus negatief zijn. Die negativiteit zal dan de gaten aantrekken van de p-halfgeleider, die gaan accumuleren in het channel (zoals ne capacitator) en daardoor kunnen der dan elektronen lopen tussen de 2 n-halfgeleiders...

Dus afhankelijk van de [H+] in u oplossing, gade meer of minder aanhechting krijgen aan die laag, gaat die laag meer of minder negatief zijn, zal ze meer of minder gaten aantrekken en zal er dus meer of minder stroom kunnen lopen.

(Zo heeft mijn nonkel het mij toch uitgelegd, en da vond ik toch een logische redenering :) )

zotteke

15-06-2006 04:53:52

da klinkt precies wel logisch ja... kga et seffes nog is bezien en alsk dan nog iet ni snap dan zittek hiere weer eh :p

lang leve het forum !! :D